​型号简介
MODEL INTRODUCTION

System Features
SYSTEM CHARACTERISTICS

IBE离子束刻蚀设备

Introduction

           IBE离子束刻蚀是一种利用高能离子束对样品表面进行物理溅射去除材料，从而实现精细刻蚀结构制造的技术。IBE离子束刻蚀技术主要通过高能离子束对材料表面进行撞击，实现材料的去除，是一种高精度、高效率的微纳加工技术，被广泛应用于多个领域。它可以对金属、合金、氧化物等多种材料进行选择性刻蚀，IBE可以实现纳米级别的高精度刻蚀。它可以均匀刻蚀各种材料，无化学选择性。刻蚀后的表面光滑，减少表面粗糙度。通过控制离子束角度，IBE可实现各向同性和各向异性刻蚀。

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          进行IBE刻蚀时，首先需要将待刻蚀的样品放置在真空腔室内，并清洁表面。接下来，在待刻蚀区域覆盖一层掩膜，保护不需要刻蚀的部分。启动离子源，产生高能离子束（通常使用氩气Ar）。控制离子束的能量、角度和曝光时间，对样品进行刻蚀。最后，去除保护性掩膜，得到最终的图案结构。