内容介绍

传统锯片或激光切割的可行替代方案 – 正在进入第三代半导体SiC领域

并行处理：“高芯片密度下极高”的切割效率和效益

最小的切割道：提升单晶圆上的芯片产量（最多增加80%）

极高的性能上限：超薄晶圆（30um）、边缘处理和低损伤

高度配合晶圆设备，提供更大的工艺灵活性， 晶圆级先进封装

新型切都应用的书最超汇化的趋势及应对方案：
一.趋势和原因
1.晶日度的变化进程：
1. 常规 12 寸星日，在经过满薄后大约是 280 微米- 400 微米
2. 超薄化的晶园 -- 100um 以下 :常规用于疊层封装的滅導到100 微米以下,更为先进的封装要到50 。
3.最新: 目前最薄的 wafer 已经发展到30 微米的厚度，适应25D-3DIC 以及 先进存储等 多层难暨封装的需求。

2.晶同超靠化的原因：
1.核心是配合先进封装的要求，复杂的封装，但是不能过多牺性 xy和z轴上的尺寸，因此在尺寸有极眼的情况下，多样化的封装技术(PIP(packagein package层封装)，POP(packag e onpackage)、多芯片、系统级封装以及 2.5-3D封装等)，都要求星周尽量变薄，给封装工艺留下更多的空间.
2.减薄减少芯片内部的应力，大大降低因为内力导致芯片破烈的情况，这样封装后处处理更容易，特别是涉及到异质和异构集成时候，，不同芯片的应力差和晶格失配，导致的剪切力，致使芯片崩碎是最难解夫的问题。
3.电气性能的提高:减小了封装体积同时提害了电路性能,减小了高生效应和时间延迟
4.增加散热， 衬底片薄了，更容易把热导出去,特别是芯片结构更加复来，集成度更高，导致的热:聚集快不容易疏散的特点

二.减萍后问题
1.物理特性的改变：
        品同的过分减藏，会号致物理刚性的降低，重力作用下就会发生很大的变形卷曲,会在做动气流中发生振:边缘的物理碰撞部极易损坏，具有锋利的边缘,会与其他平面粘合在一起而难分开

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2.后道工字和搬运的难度会大，对于传输和史具的要求推高:

1.边缘损伤是所有切割方案里最小的，最适于对损伤高度敏感的场景

        反应离子刻蚀，物理和化学变化结合，边缘处理是个方法最好的，在微米级别不会有毛刺，对芯片的可能损伤是最小最小的。

        先进制程的芯片，且使用了很多铜（Cu）或低介电常数等材料（Low-k ）。因此，为了防止毛刺（Burr）的重要性就更重。后续在2.5D-3D封装，特别是技术发展中的CHIPLET， 这将是一个更具有竞争力的方案。

2. 50微米以下，最低到30微米的超薄晶圆

        需要用到离子体切割，而 激光方案可能无法渗透到这一领域（50-100um厚度比较擅长），再往下可能不太行了，他斜裂的影响可能就大了。

3. Dicing street 切割街道，拥有最小的极限值

        等离子体切割所形成的切割道的理论极限值是最小的，可以轻松做到亚微米级别，可以大幅度的降低切割损耗。但是要看具体的材料和要求。根据测算 可以多出来20%的芯片量。 节省成本

4.速度上，单晶元并行处理，可以有极高的速度

        一次性切割完毕，效率是高的。但是要考虑芯片的厚度，厚了也非常难切割，时间也不会太快。考虑厚芯片不是主要的一个应用方向应该。

5. 可以和晶圆工艺设备深度协同

        光刻+刻蚀的图形化方案越来越普遍， 用等离子体切割拥有非常良好的设备平台，而不需要单独加入 SD激光切割设备和裂片机。 并且，先进封装成本越来越高，堆叠要求越高，制造和封装的深度协同，让封装前的前道工艺的精细化处理就更有意义。