ICP3500M1 3舱体感应耦合等离子体刻蚀机具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性，主要用于6/8寸 晶片的多功能刻蚀。ICP3500M干法刻蚀机(Inductively Coupled Plasma Etcher)，采用半导体刻蚀机的成熟技术，独特设计的等离子体源，实现了对腔室内等离体密度均匀控制，满足刻蚀工艺的要求。

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          采用模块化设计，整机包括工艺模块（PM: Process Module）和传输模块（TM: Transfer Module）。晶片在工艺模块内进行刻蚀，工艺时，在晶片上方产生等离子体，对晶片进行刻蚀。传输模块装有机械手，实现晶片在其和工艺模块之间的传输。