​型号简介
MODEL INTRODUCTION

ALD Infinity C200P

针对 MicroLED, 太阳能电池，量子点，OLED表面纯化及隔水封装 及碳化硅的栅极氧化层。

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推出时间与用途：

2019 年推出，用于低温原子层沉积（ALD）

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设备结构：

具有内部反应空间的错流反应器；用于电容耦合等离子体的等离子体电极；在 MESC 集群工具上处理 200 毫米晶圆，从侧面装载。

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性能特点：

沉积速率非常高，等离子体增强原子层沉积（PEALD）氧化铝（Al2O3）时可达每分钟 10 纳米

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材质构成：

不锈钢反应器和铝制腔室，适用于有机金属化学

性能描述
SYSTEM CHARACTERISTICS

设备的基板装载选择

Loadlock（真空传输仓）：

用于单个基板，可处理 200 毫米硅片、150 毫米硅 / 碳化硅，还有用于小基板的承载器。

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Cassette Loadlock（晶圆盒真空传输仓）：

可装载多达 20 个基板，同样适用于 200 毫米硅片0 毫米硅 / 碳化硅，以及小基板承载器。

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Cluster Tool（集群量产平台）：

由第三方或 Encapsulix 提供，有可选的中间容积，通过涡轮泵实现高真空集群；可与工艺模块结合，兼容 MESC，适用于原子层刻蚀（ALE）、物理气相沉积（PVD）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等工艺。