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型号简介
MODEL INTRODUCTION
ICP-RIE 3500 M1
ICP3500M1 单舱感应耦合等离子体刻蚀机具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性，主要用于6/8寸 晶片的多功能刻蚀。ICP3500M干法刻蚀机(Inductively Coupled Plasma Etcher)，采用半导体刻蚀机的成熟技术，独特设计的等离子体源，实现了对腔室内等离体密度均匀控制，满足刻蚀工艺的要求。
采用模块化设计，整机包括工艺模块（PM: Process Module）和传输模块（TM: Transfer Module）。晶片在工艺模块内进行刻蚀，工艺时，在晶片上方产生等离子体，对晶片进行刻蚀。传输模块装有机械手，实现晶片在其和工艺模块之间的传输。
性能描述
SYSTEM CHARACTERISTICS
关键部件
1.多路Horiba MFC控制的气体信道
2. Osaka TGkine1704MIBWC-R02分子泵
3. ADtec射频电源及匹配器Bias Power 1000W及Top Power 2000W
4. Thermo PC200冷水机
5.新松400A 6/8寸四边传输腔体
6. VAT Pendulum Valve DN200 david摆阀
7. PLC倍福工控系统
控制软件
1.远程访问和服务
2.系统操作平台Windows 11
3.基于PC的用户友好型控制实时过程数据接口显示器，全自动蚀刻处理
4.多组和多用户访问水平。用户友好的维护，操作和配方编辑以及配方编辑屏幕
5.报警历史、安全互锁
6.自动定期数据日志存储对于设备条件和参数
选配
自动终止蚀刻End Point Detector OES/IES
氯气蚀刻仓
2KW射频电源升级
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